محمدمهدی خاتمی

دکتر محمدمهدی خاتمی

۱۳۹۷-۱۳۹۸: محقق در University of Texas at Dallas

۱۳۹۳-۱۳۹۹: دکتری مهندسی برق، گرایش الکترونیک- دانشگاه تربیت مدرس

۱۳۹۰-۱۳۹۳: کارشناسی ارشد مهندسی برق، گرایش میکروالکترونیک- دانشگاه صنعتی امیرکبیر

۱۳۸۶-۱۳۹۰: کارشناسی مهندسی برق، گرایش الکترونیک- دانشگاه زنجان

نرم افزارها:

• Silvaco
• Quantum Espresso
• SIESTA
• HSPICE

مقالات:

1. Electronic transport properties of hydrogenated and fluorinated graphene: a computational study, Journal of Physics: Condensed Matter, 2020.
2. BSIM3 model parameter extraction and performance analysis of a strained p-MOSFET for digital applications, Journal of Computational Electronics, 2020.
3. ““Hot electrons in Si lose energy mostly to optical phonons”: Truth or myth?”, Applied Physics Letters, vol. 114, p. 222104, 2019.
4. “Electronic Transport Properties of Silicane Determined from First Principles”, Materials, vol. 12(18), p. 2935, 2019.
5. تحلیل و بهبود جریان حالت خاموش نانو ماسفت کرنشی دومحوره سیلیکانی نوع p با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی. مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران. ۱۳۹۵; ۱۳ (۴) :۴۱-۵۰
6. “Impacts of virtual substrate doping on high frequency characteristics of biaxially strained Si PMOSFET”, Superlattices and Microstructure, vol. 85, pp. 82–91, 2015.

کنفرانس:

1. “First principles Study of the Electron and Hole Mobility in Silicane“, 77th Device Research Conference (DRC 2019), Ann Arbor, Michigan, USA.
2. “The Effects of Biaxially Tensile and Compressive Strains on Silicene Characteristics”, The 6th Biennial International Conference on Ultrafine Grained and Nanostructured Materials (UFGNSM2017), Kish, Iran.
3. “A symmetric CMOS inverter using biaxially strained Si nano PMOSFET”, 23rd Iranian Conference on Electrical engineering, (ICEE2015), Tehran, Iran.
4. “Reducing parasitic capacitance of strained Si nano p-MOSFET by control of virtual substrate doping”, 5th International Congress on Nanoscience & Nanotechnology (ICNN2014), Tehran, Iran.

دریافت رزومه کامل:

رزومه

شبکه های اجتماعی مدرس: